BSO080P03NS3GXUMA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

BSO080P03NS3GXUMA1
N.º de producto de DigiKey	BSO080P03NS3GXUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSO080P03NS3GXUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSO080P03NS3GXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSO080P03NS3GXUMA1
Descripción	MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 12 A (Ta) 1.6W (Ta) PG-DSO-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8mOhm a 14.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.1V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6750 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-DSO-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	BSO080