BSO200P03SHXUMA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

BSO200P03SHXUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSO200P03SHXUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSO200P03SHXUMA1
Descripción	MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 7.4 A (Ta) 1.56W (Ta) PG-DSO-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	20mOhm a 9.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2330 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.56W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-DSO-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	BSO200