BSP135 E6327 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

BSP135 E6327 se ha descontinuado y ya no se comercializa en DigiKey.

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

BSP135 E6327
N.º de producto de DigiKey	BSP135E6327-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSP135 E6327
Descripción	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET	Canal N, modo de implementación
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	0V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	45Ohm a 120mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 94µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4.9 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	146 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA