BSP320SH6327XTSA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

BSP320SH6327XTSA1 es obsoleto y ya no se fabrica.

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BSP320SH6327XTSA1
N.º de producto de DigiKey	BSP320SH6327XTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSP320SH6327XTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSP320SH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSP320SH6327XTSA1
Descripción	MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 2.9 A (Tj) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSP320SH6327XTSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.9 A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	120mOhm a 2.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 20µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	340 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	BSP320