Name: BSP92PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP92PH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.73 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

BSP92PH6327XTSA1
N.º de producto de DigiKey	BSP92PH6327XTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSP92PH6327XTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSP92PH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSP92PH6327XTSA1
Descripción	MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 250 V 260mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSP92PH6327XTSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	260mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12Ohm a 260mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 130µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	104 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	BSP92PH6327