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BSS123IXTSA1
Infineon Technologies
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PG-SOT23-3-5
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BSS123IXTMA1

N.º de producto de DigiKey
448-BSS123IXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
BSS123IXTMA1
Descripción
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) PG-SOT23-3-5
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
190mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
6Ohm a 190mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1.8V a 13µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
15 pF @ 50 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-SOT23-3-5
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
BSS123
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