BSZ0703LSATMA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

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BSZ0703LSATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSZ0703LSATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSZ0703LSATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSZ0703LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSZ0703LSATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 40 A (Tc) 46W (Tc) PG-TSDSON-8-26
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSZ0703LSATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 20µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1800 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8-26
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSZ0703