Name: GS0650112LMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS0650112LMRXUSA1TR-ND
Price: 5.57 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

GS0650112LMRXUSA1
N.º de producto de DigiKey	448-GS0650112LMRXUSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-GS0650112LMRXUSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-GS0650112LMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	GS0650112LMRXUSA1
Descripción	GS-065-011-2-L-MR
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 11A (Tc) 8-PDFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	195mOhm a 3.2A, 6V
Vgs(th) (máx) a Id	2.6V a 2.4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2.2 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+7V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	70 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PDFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 8-VDFN