Name: GS66502BMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS66502BMRXUSA1TR-ND
Price: 11.67 USD
Availability: OutOfStock

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GS66502BMRXUSA1
N.º de producto de DigiKey	448-GS66502BMRXUSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-GS66502BMRXUSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-GS66502BMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	GS66502BMRXUSA1
Descripción	GS66502B-MR
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 7.5A (Tc)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	260mOhm a 2.25A, 6V
Vgs(th) (máx) a Id	2.6V a 1.75mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.6 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+7V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	60 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	-
Paquete / Caja (carcasa)	3-SMD, sin conductor