Name: IAUAN04S7N005AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUAN04S7N005AUMA1TR-ND
Price: 3.18 USD
Availability: OutOfStock

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IAUAN04S7N005AUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUAN04S7N005AUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUAN04S7N005AUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUAN04S7N005AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUAN04S7N005AUMA1
Descripción	IAUAN04S7N005AUMA1
Plazo estándar del fabricante	39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 50A (Ta), 455A (Tj) 198W (Tc) PG-HSOF-5-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUAN04S7N005AUMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	50A (Ta), 455A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.51mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 110µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9820 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	198W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-5-1
Paquete / Caja (carcasa)	5-PowerSFN