Name: IAUS200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 3.38 USD
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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Precio por unidad : $4.82000

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IAUS200N08S5N023ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IAUS200N08S5N023ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IAUS200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUS200N08S5N023ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) PG-HSOG-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUS200N08S5N023ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.3mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.8V a 130µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7670 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOG-8-1
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSMD, Ala de gaviota
Número de producto base	IAUS200