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IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
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PG-HSOF-8-1
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IAUT300N08S5N012ATMA1

N.º de producto de DigiKey
448-IAUT300N08S5N012ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IAUT300N08S5N012ATMA1
Descripción
MOSFET_(75V 120V(
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) PG-HSOF-8-1
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™ 5
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
300A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.2mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.8V a 275µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
231 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
16250 pF @ 40 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerSFN
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