Name: IAUZ40N06S5N050ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ40N06S5N050ATMA1TR-ND
Price: 0.54 USD
Availability: InStock

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IAUZ40N06S5N050ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUZ40N06S5N050ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUZ40N06S5N050ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUZ40N06S5N050ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUZ40N06S5N050ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 40A (Tj) 71W (Tc) PG-TSDSON-8-33
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUZ40N06S5N050ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	40A (Tj)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.4V a 29µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2200 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8-33
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	IAUZ40