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IDH02G65C5XKSA1

N.º de producto de DigiKey
IDH02G65C5XKSA1-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IDH02G65C5XKSA1
Descripción
DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO2201
Referencia del cliente
Descripción detallada
Diodos 650 V 2A Orificio pasante PG-TO220-2-1
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™+
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Discontinuo en Digi-Key
Tecnología
SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
650 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
2A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.7 V @ 2 A
Velocidad
Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
35 µA @ 650 V
Capacitancia según Vr, F
70pF a 1V, 1MHz
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-2
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-2-1
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento
-55°C ~ 175°C
Número de producto base
IDH02G65
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