IDK08G65C5XTMA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

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Infineon Technologies

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IDK08G65C5XTMA1
N.º de producto de DigiKey	IDK08G65C5XTMA1-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IDK08G65C5XTMA1
Descripción	DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2632
Referencia del cliente
Descripción detallada	Diodos 650 V 8A Montaje en superficie PG-TO263-2
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Diodos Rectificadores Diódos simples
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Discontinuo en Digi-Key
Tecnología	SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)	650 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)	8A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If	1.8 V @ 8 A
Velocidad	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr	1.4 mA @ 650 V
Capacitancia según Vr, F	250pF a 1V, 1MHz
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-2
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento	-55°C ~ 175°C
Número de producto base	IDK08G65

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