Name: IGC025S08S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND
Price: 4.3 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IGC025S08S1XTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IGC025S08S1XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IGC025S08S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IGC025S08S1XTMA1
Descripción	MV GAN DISCRETES
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 23A (Ta), 86A (Tc) 3.3W (Ta), 45W (Tc) PG-TSON-6-2
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	23A (Ta), 86A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.5mOhm a 25A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2.9V a 10mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±6.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1250 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.3W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSON-6-2
Paquete / Caja (carcasa)	6-PowerTDFN