Name: IGT65R025D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND
Price: 11.92 USD
Availability: OutOfStock

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IGT65R025D2ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IGT65R025D2ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IGT65R025D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IGT65R025D2ATMA1
Descripción	IGT65R025D2ATMA1
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 70A (Tc) 236W (Tc) PG-HSOF-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IGT65R025D2ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™ G5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	70A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	-
Rds On (máx) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx) a Id	1.6V a 6.1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11 nC @ 3 V
Vgs (máx.)	-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	780 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	236W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN