Name: IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND
Price: 5.88 USD
Availability: OutOfStock

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IMBF170R650M1XTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMBF170R650M1XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMBF170R650M1XTMA1
Descripción	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1700 V 7.4A (Tc) 88W (Tc) PG-TO263-7-13
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMBF170R650M1XTMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1700 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	12V, 15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	650mOhm a 1.5A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	5.7V a 1.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8 nC @ 12 V
Vgs (máx.)	+20V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	422 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	88W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-7-13
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Número de producto base	IMBF170