Name: IMBG120R234M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R234M2HXTMA1TR-ND
Price: 5.04 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IMBG120R234M2HXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMBG120R234M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMBG120R234M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMBG120R234M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMBG120R234M2HXTMA1
Descripción	SIC DISCRETE
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 8.1A (Tc) 80W (Tc) PG-TO263-7-12
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.1A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	233.9mOhm a 3A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.1V a 900µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	7.9 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+20V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	290 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-7-12
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Número de producto base	IMBG120R234