Name: IMT65R060M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND
Price: 6.3 USD
Availability: OutOfStock

Nuevo producto

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IMT65R060M2HXUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMT65R060M2HXUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMT65R060M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMT65R060M2HXUMA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 41.4H (Tc) 208W (Tc) PG-HSOF-8-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMT65R060M2HXUMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	41.4H (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	55mOhm a 15.4A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 3.1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	19 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	669 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-2
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN