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IMW120R030M1HXKSA1

N.º de producto de DigiKey
448-IMW120R030M1HXKSA1-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IMW120R030M1HXKSA1
Descripción
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Plazo estándar del fabricante
14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) PG-TO247-3-41
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IMW120R030M1HXKSA1 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
56A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
40mOhm a 25A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
5.7V a 10mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2120 pF @ 800 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO247-3-41
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
IMW120
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Cantidad
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$13.48000$13.48
30$8.39067$251.72
Paquete estándar del fabricante
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