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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IMW65R083M1HXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IMW65R083M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMW65R083M1HXKSA1 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Plazo estándar del fabricante | 23 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 24A (Tc) 104W (Tc) PG-TO247-3-41 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMW65R083M1HXKSA1 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 18V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 111mOhm a 11.2A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.7V a 3.3mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 19 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +20V, -2V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 624 pF @ 400 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 104W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3-41 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $6.75000 | $6.75 |
| 30 | $4.08633 | $122.59 |
| 120 | $3.49442 | $419.33 |
| 510 | $2.95984 | $1,509.52 |
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