
IMZ120R350M1HXKSA1 | |
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N.º de producto de DigiKey | IMZ120R350M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMZ120R350M1HXKSA1 |
Descripción | SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4 |
Plazo estándar del fabricante | 26 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) PG-TO247-4-1 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMZ120R350M1HXKSA1 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 15V, 18V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 350mOhm a 2A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.7V a 1mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 5.3 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +23V, -7V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 182 pF @ 800 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 60W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-4-1 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $6.20000 | $6.20 |
30 | $3.29400 | $98.82 |
120 | $3.02358 | $362.83 |
510 | $2.62188 | $1,337.16 |