Name: IMZA65R020M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R020M2HXKSA1-ND
Price: 14.52 USD
Availability: OutOfStock

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IMZA65R020M2HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZA65R020M2HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZA65R020M2HXKSA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 83A (Tc) 273W (Tc) PG-TO247-4-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	83A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	18mOhm a 46.9A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 9.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	57 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2038 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	273W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-4-8
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4
Número de producto base	IMZA65R020

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$14.52000	$14.52
30	$8.88100	$266.43
120	$7.78433	$934.12

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