IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

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Precio por unidad : $16,782.00000

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IMZA65R048M1HXKSA1
Número de pieza de DigiKey	448-IMZA65R048M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZA65R048M1HXKSA1
Descripción	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 39A (Tc) 125W (Tc) PG-TO247-4-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMZA65R048M1HXKSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	39A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	64mOhm a 20.1A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.7V a 6mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	33 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1118 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-4-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4
Número de producto base	IMZA65