Name: IMZA75R008M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND
Price: 30.27 USD
Availability: OutOfStock

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IMZA75R008M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZA75R008M1HXKSA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) PG-TO247-4-U02
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMZA75R008M1HXKSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	750 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	163A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7.2mOhm a 90.3A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 32.4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	178 nC @ 500 V
Vgs (máx.)	+23V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6137 pF @ 500 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	517W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-4-U02
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

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