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AIMZA75R016M1HXKSA1
Infineon Technologies
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AIMZA75R016M1HXKSA1
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IMZA75R016M1HXKSA1

N.º de producto de DigiKey
448-IMZA75R016M1HXKSA1-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IMZA75R016M1HXKSA1
Descripción
SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo estándar del fabricante
23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 750 V 89A (Tj) 319W (Tc) PG-TO247-4
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
750 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
89A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
15mOhm a 41.5A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id
5.6V a 14.9mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
81 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2869 pF @ 500 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
319W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO247-4
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-4
Número de producto base
IMZA75R016
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30$12.16100$364.83
120$11.62533$1,395.04
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