IPA65R660CFDXKSA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

IPA65R660CFDXKSA1 es obsoleto y ya no se fabrica.

Reemplazos disponibles:

Similar

STMicroelectronics

En stock: 0

Precio por unidad : $2.73000

Similar

STMicroelectronics

En stock: 0

Precio por unidad : $2.35000

Similar

STMicroelectronics

En stock: 1,359

Precio por unidad : $2.96000

Similar

STMicroelectronics

En stock: 0

Precio por unidad : $4.65000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

En stock: 0

Precio por unidad : $2.78000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPA65R660CFDXKSA1
N.º de producto de DigiKey	IPA65R660CFDXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPA65R660CFDXKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 6A TO220
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 6A (Tc) 27.8W (Tc) PG-TO220-3-111
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	660mOhm a 2.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	615 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	27.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3-111
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	IPA65R660