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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPAN60R125PFD7SXKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 25A TO220 |
Plazo estándar del fabricante | 17 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 25A (Tc) 32W (Tc) PG-TO220-FP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPAN60R125PFD7SXKSA1 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 125mOhm a 7.8A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.5V a 390µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 36 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1503 pF @ 400 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 32W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-FP | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.03000 | $3.03 |
| 50 | $1.50820 | $75.41 |
| 100 | $1.36090 | $136.09 |
| 500 | $1.10278 | $551.39 |
| 1,000 | $1.01983 | $1,019.83 |
| 2,000 | $0.96575 | $1,931.50 |
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