IPB015N04LGATMA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

IPB015N04LGATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB015N04LGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB015N04LGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB015N04LGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB015N04LGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 120A (Tc) 250W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.5mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	346 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	28000 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB015