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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IPB049NE7N3GATMA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IPB049NE7N3GATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB049NE7N3GATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPB049NE7N3GATMA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) PG-TO263-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 75 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 4.9mOhm a 80A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3.8V a 91µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 68 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 4750 pF @ 37.5 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 150W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-3 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
En stock: 349
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.52000 | $3.52 |
| 10 | $2.30000 | $23.00 |
| 100 | $1.60740 | $160.74 |
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