Name: IPB120P04P4L03ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB120P04P4L03ATMA2TR-ND
Price: 3.76 USD
Availability: OutOfStock

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IPB120P04P4L03ATMA2
N.º de producto de DigiKey	448-IPB120P04P4L03ATMA2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB120P04P4L03ATMA2CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB120P04P4L03ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB120P04P4L03ATMA2
Descripción	MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Plazo estándar del fabricante	9 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB120P04P4L03ATMA2 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ P2
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.4mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 340µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	234 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+5V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	15000 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB120