Name: IPB19DP10NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB19DP10NMATMA1TR-ND
Price: 2.44 USD
Availability: OutOfStock

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IPB19DP10NMATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB19DP10NMATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB19DP10NMATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB19DP10NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB19DP10NMATMA1
Descripción	TRENCH >=100V PG-TO263-3
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 2.9A (Ta), 13.8A (Tc) 3.8W (Ta), 83W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB19DP10NMATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.9A (Ta), 13.8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	185mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1.04mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2000 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB19D