IPB50N12S3L15ATMA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

IPB50N12S3L15ATMA1 es obsoleto y ya no se fabrica.

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Precio por unidad : $3.07088

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IPB50N12S3L15ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB50N12S3L15ATMA1-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB50N12S3L15ATMA1
Descripción	MOSFET N-CHANNEL_100+
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 120 V 50A (Tc) 100W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	120 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15.7mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 60µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4180 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB50N12