Name: IPB60R099C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099C6ATMA1TR-ND
Price: 6.4 USD
Availability: OutOfStock

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IPB60R099C6ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB60R099C6ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB60R099C6ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB60R099C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB60R099C6ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB60R099C6ATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C6
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	37.9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	99mOhm a 18.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 1.21mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	119 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2660 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB60R099

IPB60R099C6ATMA1