Name: IPB60R099C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099C7ATMA1TR-ND
Price: 5.24 USD
Availability: OutOfStock

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IPB60R099C7ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB60R099C7ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB60R099C7ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB60R099C7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB60R099C7ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB60R099C7ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	22A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	99mOhm a 9.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 490µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1819 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB60R099