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PG-TO263-3
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IPB60R199CPAATMA1

N.º de producto de DigiKey
IPB60R199CPAATMA1-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IPB60R199CPAATMA1
Descripción
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 600 V 16A (Tc) 139W (Tc) PG-TO263-3
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Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
No para diseños nuevos
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
16A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
199mOhm a 9.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 1.1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1520 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
IPB60R199
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Cantidad
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Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1,000$1.76875$1,768.75
Paquete estándar del fabricante