Name: IPB65R099CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R099CFD7AATMA1TR-ND
Price: 5.23 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPB65R099CFD7AATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB65R099CFD7AATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB65R099CFD7AATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB65R099CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB65R099CFD7AATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB65R099CFD7AATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CFD7A
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	24A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	99mOhm a 12.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 630µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2513 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	127W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB65R099