IPC100N04S5L2R6ATMA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

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Precio por unidad : $1.67000

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IPC100N04S5L2R6ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPC100N04S5L2R6ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPC100N04S5L2R6ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPC100N04S5L2R6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPC100N04S5L2R6ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) PG-TDSON-8-34
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPC100N04S5L2R6ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.6mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 30µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2925 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-34
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	IPC100