Name: IPD031N03LGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD031N03LGBTMA1-ND
Price: 0.48176 USD
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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IPD031N03LGBTMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD031N03LGBTMA1-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD031N03LGBTMA1
Descripción	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 90A (Tc) 94W (Tc) PG-TO252-3-11
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	90A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.1mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5300 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-11
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD031

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