IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

IPD12CN10NGATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD12CN10NGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD12CN10NGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD12CN10NGATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	67A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12.4mOhm a 67A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 83µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4320 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD12CN10