Name: IPD30N03S4L09ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N03S4L09ATMA1TR-ND
Price: 1.19 USD
Availability: InStock

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IPD30N03S4L09ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD30N03S4L09ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD30N03S4L09ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD30N03S4L09ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD30N03S4L09ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	9 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 30 A (Tc) 42W (Tc) PG-TO252-3-11
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD30N03S4L09ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 13µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1520 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-11
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD30N03