Name: IPD30N06S4L23ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N06S4L23ATMA2TR-ND
Price: 0.45 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPD30N06S4L23ATMA2
N.º de producto de DigiKey	IPD30N06S4L23ATMA2TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD30N06S4L23ATMA2CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD30N06S4L23ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD30N06S4L23ATMA2
Descripción	MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Plazo estándar del fabricante	9 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 30A (Tc) 36W (Tc) PG-TO252-3-11
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD30N06S4L23ATMA2 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	23mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 10µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1560 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-11
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD30N06