Name: IPD50N04S4L08ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD50N04S4L08ATMA1TR-ND
Price: 1.22 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPD50N04S4L08ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD50N04S4L08ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD50N04S4L08ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD50N04S4L08ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD50N04S4L08ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	9 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 50 A (Tc) 46W (Tc) PG-TO252-3-313
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD50N04S4L08ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7.3mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 17µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2340 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-313
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD50