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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IPD50R950CEBTMA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IPD50R950CEBTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPD50R950CEBTMA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 500 V 4.3 A (Tc) 34W (Tc) PG-TO252-3-11 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) | |
Estado de pieza | Discontinuo en Digi-Key | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 500 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 13V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 950mOhm a 1.2A, 13V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3.5V a 100µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 10.5 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 231 pF @ 100 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 34W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3-11 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
México