IPD640N06LGBTMA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

IPD640N06LGBTMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD640N06LGBTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD640N06LGBTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD640N06LGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD640N06LGBTMA1
Descripción	MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 18A (Tc) 47W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	18A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	64mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 16µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	470 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	47W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD640