Name: IPD80R2K7C3AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND
Price: 1.82 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPD80R2K7C3AATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD80R2K7C3AATMA1
Descripción	MOSFET N-CH TO252-3
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) TO-252AA (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD80R2K7C3AATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.7Ohm a 1.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.9V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	290 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA (DPAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD80R2