Name: IPDQ60R017S7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R017S7AXTMA1TR-ND
Price: 12.51 USD
Availability: OutOfStock

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IPDQ60R017S7AXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPDQ60R017S7AXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPDQ60R017S7AXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPDQ60R017S7AXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPDQ60R017S7AXTMA1
Descripción	MOSFET
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) PG-HDSOP-22-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPDQ60R017S7AXTMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ S7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	12V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	17mOhm a 29A, 12V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 1.89mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	196 nC @ 12 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7370 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HDSOP-22-1
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo 22-PowerBSOP
Número de producto base	IPDQ60R