Name: IPG20N06S4L11ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N06S4L11ATMA1TR-ND
Price: 2.34 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPG20N06S4L11ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPG20N06S4L11ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPG20N06S4L11ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPG20N06S4L11ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPG20N06S4L11ATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 60V 20A 65W Montaje en superficie PG-TDSON-8-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPG20N06S4L11ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11.2mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 28µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	53nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4020pF a 25V
Potencia - Máx.	65W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-4
Número de producto base	IPG20N