IPI50R140CPXKSA1 es obsoleto y ya no se fabrica.

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Infineon Technologies

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Precio por unidad : $2.01000

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IPI50R140CPXKSA1
N.º de producto de DigiKey	IPI50R140CPXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPI50R140CPXKSA1
Descripción	HIGH POWER_LEGACY
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 500 V 23 A (Tc) 192W (Tc) PG-TO262-3-1
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	23 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	140mOhm a 14A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 930µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2540 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	192W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO262-3-1
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base	IPI50R